[삼성 컨콜] "낸드 단수 자체가 고민 아냐"

[아이뉴스24 민혜정 기자] 삼성전자가 마이크론 등 경쟁사가 176단 낸드를 양산하며 경쟁사와 기술격차가 좁혀지고 있다는 지적에 단수 자체가 고민 지점이 아니라고 강조했다.

한진만 삼성전자 메모리 전략마케팅실 부사장은 29일 열린 컨퍼런스콜에서 "V낸드 경쟁력과 관련해 고민 포인트는 단수 자체가 아니다"며 "삼성은 싱글 스택만으로 128단 낸드 경쟁력을 확보한 상황이고, 효율적으로 쌓아올리는 시점과 방법이 고민"이라고 강조했다.

이어 "단수에만 집중하기보다는 원가 측면에서 경쟁력이 있는지가 집중 포인트"라고 덧붙였다.

삼성전자는 D램도 DDR5 시대가 도래하면서 원가경쟁력을 높이는데 힘을 쏟고 있다. DDR5는 차세대 D램 규격으로 기존의 DDR4 대비 2배 이상의 성능이며, 향후 데이터 전송속도가 7천200Mbps로도 확장될 전망이다.

삼성전자 DDR5 메모리 모듈은 하이케어 메탈 게이트가 적용돼 기존 공정 대비 전력 소모가 약 13% 감소, 데이터센터와 같이 전력효율이 중요한 응용처에서 활용될 전망이다.

한 부사장은 "D램 공정이 미세화되면서 원가 경쟁력 화보를 위해 노력 중"이라며 "DDR5부터 14나노 공정이 도입되고, 하이케이 메탈 게이트를 적용할 계획"이라고 말했다.