SK하이닉스 장태수 부사장 대통령 표창 받아

입력 2025.03.20 오후 2:48

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세계 최초 최단 기간 10나노급 6세대 D램 개발 공로
표창장은 최상목 대통령 권한 대행 명의로 작성
"힘 합치면 값진 성과, 미세공정 혁신 속도 내겠다"

[아이뉴스24 박지은 기자] SK하이닉스는 미래기술연구원 소속 장태수 부사장이 제52회 상공의 날 기념 행사에서 최첨단 D램을 개발한 공로로 대통령 표창을 받았다고 20일 밝혔다.

장 부사장은 19일 서울 중구 대한상공회의소에서 열린 상공의 날 행사에서 세계 최초로 최단 기간 내 10나노(㎚)급 6세대(1c) 미세공정 기술이 적용된 16Gb DDR5 D램을 개발한 공로로 표창을 받았다.

메모리는 최소 회로 선폭 기술을 통해 고성능 제품을 구현 가능해 업체간 기술 개발 경쟁이 치열하다. 고객들에게 초고속·저전력 제품을 선제적으로 공급해 시장을 선점할 수 있어서다.

상공의 날은 산업 및 경제 발전을 이끈 상공업자의 노고를 기리고, 기업 경쟁력을 높이기 위해 제정된 기념일이다.

장 부사장은 지난 20년간 메모리 선행 기술 및 소자 연구에 매진한 전문가로, 44나노부터 10나노까지 10세대에 걸쳐 핵심 기술개발에 참여했다는 평가를 받는다.

장 부사장은 "앞으로도 마주할 수많은 어려움 속에서도 자신감을 잃지 말고 힘을 합친다면 반드시 값진 성과로 돌아올 거라고 믿는다"며 미세공정 혁신에 더욱 속도를 내겠다는 포부를 밝혔다.