하이닉스, 초고속 저전력 모바일 D램 개발

하이닉스반도체(대표 우의제 www.hynix.co.kr)는 오류 검출·정정 기능을 하는 'ECC'(Error Correcting Code) 회로가 적용된 저전력 초고속 모바일 D램을 개발했다고 15일 밝혔다.

이번에 개발된 185MHz 512Mb D램은 동작시 오류 검출 및 정정 기능을 자체적으로 구현하면서도 최대 185MHz로 동작속도로 32개의 IO를 통해 최대 초당 1.46GB의 데이터를 처리할 수 있다.

80나노 공정 기술을 이용해 초소형이면서도 전력 소모를 줄이는 기술들이 사용됐다.

하이닉스반도체 모바일 사업담당 김용탁 상무는 "이번에 개발된 제품은 낸드 플래시의 ECC 개념을 모바일 D램에 도입하여 소비 전력을 크게 줄였기 때문에 고용량 D램의 높은 소비 전력을 우려하는 휴대용 정보기기 개발 업체의 고민을 덜어 줄 수 있을 것"이라고 설명했다.

이 제품은 JEDEC(국제반도체표준협의기구) 규격을 만족해 기존 모바일 D램 제품을 쉽게 대체해 사용할 수 있다.

하이닉스반도체는 올해 하반기에 이 제품의 양산을 시작해 낸드 플래시와 D램을 하나의 칩으로 만든 '낸드 멀티칩 패키지(MCP)'와 패키지 위에 패키지를 얹는 '패키지 온 패키지(PoP)' 에 적용할 예정이다.