하이닉스, 2Gb 모바일D램 세계첫 개발

하이닉스반도체(대표 김종갑)는 54나노미터의 초미세 공정기술을 적용한 2기가비트(Gb) 모바일 D램을 세계 최초로 개발했다고 3일 발표했다.

새 제품은 현재 시중의 최대 용량인 1Gb 제품에 비해 2배 용량을 구현할 수 있다. 전력소비도 기존 메모리 제품 대비 8분의 1에 불과해, 오랜 사용시간이 요구되는 휴대전화, 디지털카메라, MP3플레이어, 내비게이션 등에 적합하다.

1.2V 초저전력으로 동작이 가능하며, 최대 초당 400메가비트(Mbps)의 데이터 전송속도를 구현한다. 이로써 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 1.6기가바이트(GB/s) 가량의 데이터를 처리할 수 있다. 이 제품은 SDR·DDR, x16·x32와 같은 다양한 방식을 지원해, 탑재되는 기기의 사양에 맞춰 변경·적용할 수 있는 '원 칩 솔루션' 기능도 갖췄다.

다양한 성능을 갖춘 이번 제품은 모바일 인터넷기기(MID)를 비롯해, 울트라 모바일 PC(UMPC) 등 차세대 IT 기기를 지원한다. 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 규격을 만족하는 이 제품은 내년 상반기부터 양산될 예정이다.  

시장조사기관 아이서플라이는 모바일 D램 시장이 지난해부터 오는 2012년까지 연평균 14.4%씩 성장할 것으로 전망하고 있다. 휴대전화의 모바일 D램 채용률 또한 지난해 30% 수준에서 2012년 83%까지 성장할 것으로 예상된다.

하이닉스는 지난 2006년 12월 세계 최고속의 512Mb 모바일 D램을 개발했다. 이를 시작으로 올해 상반기엔 66나노 최소형 1Gb 모바일 D램과 최고속 1Gb 저전력(LP)DDR2 제품을 개발하는 등 고부가가치 모바일 D램의 비중을 늘려왔다.

현재 모바일 D램 시장은 삼성전자와 일본 엘피다메모리가 주도하고 있다. 모바일 D램 시장 진출이 늦은 하이닉스는 제품군을 다양화해, 현재 약 11%인 모바일 D램 시장 점유율을 연말까지 20%로 확대한다는 방침이다.

김종갑 하이닉스 사장은 최근 기업설명회(IR)에서 "당초 연말까지 D램 생산량 중 모바일 D램의 비중을 지난해 3%에서 7%로 끌어올린다는 계획이었으나, 이미 상반기 8% 비중을 달성했다"며 "부가가치가 높은 모바일 D램에 역량을 집중하고 있다"고 밝혔다.