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갤럭시S6 '25나노' vs G4 '20나노'… 삼성·LG 전략차?

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갤S6, 'UFS 2.0' 감안 25나노 채택…LG는 D램으로 차별화

[양태훈기자] 삼성전자가 다음 달부터 본격 출시하는 '갤럭시S6·엣지'에 20나노가 아닌 25나노 LPDDR4 모바일 D램을 적용할 예정인 반면 LG전자는 'G4'에 이보다 공정이 앞선 20나노 D램을 도입할 예정이다.

20나노 모바일 D램은 25나노 D램 대비 데이터 전송 속도 등이 빠른 게 특징. 삼성이 전략폰에 경쟁사 보다 다소 낮은 25나노 D램을 채택함에 따라 배경에 관심이 쏠린다.

30일 업계에 따르면 삼성전자는 갤럭시S6 시리즈에 25나노 공정기반의 모바일D램을 탑재할 예정이다.

반면 LG전자의 차기 폰 G4에는 삼성전자의 20나노 모바일 D램이 적용될 예정이어서 삼성과 LG전자의 차기 폰에서 모바일 D램만 보면 G4가 성능 우위를 가져가는 셈이다.

실제로 20나노 모바일 D램은 25나노 대비 약 30% 정도 데이터전송 속도가 빠르고, 작동에 필요한 전력 역시 20% 가량 낮은 것으로 알려졌다.

양사의 이같은 결정은 차기 폰의 성능 등에 대한 전략 차 탓으로 풀이된다.

삼성전자가 당초 예상과 달리 갤럭시S6 시리즈에 25나노 모바일 D램을 탑재하는 것은 모바일AP와 '엑시노스7420', 내장메모리 'UFS'로도 경쟁사 대비 높은 성능을 확보할 수 있다는 판단 때문으로 풀이된다. 단가 등을 고려한 측면도 있다.

UFS가 기존 갤럭시 시리즈에 탑재했던 'eMMC' 대비 단가가 높은 만큼 삼성전자는 지난해 말 양산기술을 확보한 이팝(ePOP) 설계 역시 적용하지 않았다.

업계 한 관계자는 "세트업체가 UFS 도입으로 성능을 확보했지만 마진율이 줄어든 만큼 모바일 D램에서는 비용을 절감한 것으로 보인다"고 설명했다.

이와 달리 LG전자는 G4에 엑시노스7420 대비 성능이 조금 뒤쳐지는 것으로 알려진 퀄컴의 모바일AP'스냅드래곤810' 를 탑재할 예정인 만큼 하드웨어 성능확보를 위해 20나노 모바일 D램 탑재가 필요한 상황이다.

삼성전자로부터 UFS 내장메모리를 공급받을 경우, 하드웨어 성능 향상이 가능하지만 LG전자는 단가 부담으로 UFS 내장메모리를 적용하지 않을 계획으로 알려졌다.

이에 따라 LG전자로서는 프리미엄 스마트폰 수준의 하드웨어 성능을 구현하기 위해 경쟁사 25나노 대비 성능우위의 20나노 모바일 D램 채택을 결정한 것으로 풀이된다.

여기에 LG전자는 G4보다 차기로 계획 중인 슈퍼 프리미엄폰의 성능 차별화에 더 역점을 둘 전망이다.

이에 대해 LG전자 측은 말을 아끼고 있지만 앞서 MWC에서 새로운 사용자경험(UX)인 'LG UX 4.0'을 공개, 차기 모델의 차별점으로 내세우겠다고 강조한 바 있다. G4의 하드웨어 성능은 전작과 큰 차이가 없을 가능성이 높다는 게 업계의 분석이다.

이와 관련 조준호 LG전자 MC사업본부장(사장)은 MWC에서 "올 하반기 G시리즈 한 단계 위에 있는 스마트폰을 출시할 계획"이라고 언급한 바 있다.

양태훈기자 flame@inews24.com




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