삼성전자, 세계 최대 반도체 생산라인 가동

[김지연기자] 삼성전자가 세계 최대 규모의 메모리 반도체 생산라인인 16라인을 본격적으로 가동한다. 세계 최초로 20나노급 D램 양산도 시작한다.

삼성전자는 22일 나노시티 화성캠퍼스에서 메모리 16라인 가동식 및 20나노 D램·플래시 양산 행사를 개최한다. 메모리 16라인은 라인면적 약 6만평 규모의 12층 건물로 낸드를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 생산라인이다.

이날 행사에는 이건희 삼성전자 회장과 권오현 DS사업총괄 사장, 이재용 사장 등 주요 경영진과 소니 나카가와 유타카 부회장을 비롯한 글로벌 IT업체 관계자 등 500여명이 참석한다.

마이크로소프트 스티브 발머 최고경영자(CEO), HTC 셰어 왕 회장, 델(DELL) 제프 클라크 부회장, 레노보 양위엔칭 CEO, IBM 프랜 오 설리반 부사장 등은 영상메시지를 통해 삼성전자의 메모리 16라인 가동과 20나노급 D램 양산을 축하할 예정이다.

화성에 있는 메모리 16라인은 지난해 5월에 착공해 1년3개월만인 올해 2월 완공해 5월 클린룸 공사를 마쳤고, 6월부터 시범가동에 들어가 8월에 양산 체제를 갖췄다. 이달부터 20나노급 고속 낸드 플래시를 12인치 웨이퍼로 월 1만매 이상 생산하며 양산을 시작했다.

삼성전자는 낸드 플래시 수요가 급증하는 것에 대비해 올해 말까지 12인치 웨이퍼 생산 규모를 늘려 나가기로 했다. 또한 내년에는 10나노급 대용량 고속 메모리도 양산할 계획을 세웠다.

삼성전자는 "최첨단 공정을 갖춘 16라인의 가동으로 고객에게 다양한 제품을 안정적으로 공급하면서 반도체 선두업체로서 차별화된 경쟁력을 강화할 수 있게 됐다"며 "메모리 선두업체로서 위상을 강화하는 한편, 장기적으로는 글로벌 IT시장에어 성장시키며 한 단계 도약하기 위한 발판을 마련할 수 있게 됐다"고 평가했다.

삼성전자는 이와 함께 세계 최초 20나노급 2GB D램 양산을 이달부터 시작했다.

20나노급 DDR3 D램은 지난해 7월 선보인 30나노급 DDR3 D램과 동등하게 성능을 구현하면서도 생산성은 약 50% 정도 높이고 소비 전력은 40% 이상 줄인 그린 메모리 제품이다.

삼성전자는 올해 말 20나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 제품을 개발해 내년 이후에는 4GB, 8GB, 16GB, 32GB 등 다양한 제품군을 본격적으로 양산할 계획이다.

삼성전자는 "앞으로 엔터프라이즈 서버 시장을 시작으로 범용 노트북 시장까지 다양한 IT 시장에서 그린 메모리 비중을 지속적으로 확대해 나갈 예정"이라고 설명했다.

한편, 이건희 회장은 지난해 5월 경영 복귀 후 반도체 16라인 기공식 현장을 첫 방문지로 삼은 데 이어 이날 가동식까지 참석해 반도체 사업에 대한 각별한 애정을 드러냈다.

이 회장은 지난해 5월17일 메모리 16라인 기공식에 참석해 "세계 경제가 불확실하고 경영 여건의 변화도 심할 것으로 예상되지만, 이러한 시기에 투자를 더 늘리고 인력도 많이 뽑아서 글로벌 사업 기회를 선점해야 삼성에도 기회가 오고 우리나라 경제가 성장하는 데도 도움이 될 것"이라고 말했다.

또한 지난 8월11일 반도체 사장단과의 오찬에서는 "D램의 뒤를 이을 차세대 메모리 개발 속도를 높여 메모리 분야에서도 차별화된 경쟁력으로 시장 리더십을 지켜야 한다"고 강조했다.