[해설]삼성전자도 낸드공정 '중간다리' 전략

낸드플래시메모리를 포함한 메모리반도체 세계 1위 기업 삼성전자가 낸드플래시 제조공정에서 '중간다리(bridge)' 전략을 구사해 눈길을 끈다.

반도체 미세공정이 점차 한계에 이르면서 중간다리 역할을 할 공정으로 더 쉽게 미세화를 진척시키고, 제조 효율성을 높이기 위한 차원이다. 이는 지난해 5월 취임한 권오현 삼성전자 반도체부문 사장의 효율성 우선 경영전략과 상통한다.

삼성전자는 지난 3월부터 35나노미터 공정을 도입해 32기가비트(Gb, 4GB와 같은 용량) 낸드플래시 생산에 돌입했다고 12일 발표했다. 회사 측은 이에 앞서 32나노 공정을 도입해 오는 6월쯤 시제품을 공급할 것이라고 연초 기업설명회(IR)에서 밝혔었다. 삼성전자가 35나노 공정을 먼저 도입키로 한 것은 32나노로 더 쉽게 넘어가기 위한 것이다.

메모리반도체 제조에서 나노급 미세공정은 제품 생산량을 결정짓는 요인이 된다. 반도체 회로를 그리는 선폭을 줄일수록 하나의 웨이퍼에서 더 많은 제품을 생산, 원가를 줄일 수 있다. 삼성전자, 하이닉스반도체 등이 세계 D램 시장을 선도하는 것은 해외 경쟁사보다 1년 이상 앞서 40~50나노급 초미세 공정을 도입하고 있기 때문이다.

낸드플래시 제조공정은 D램보다 한 세대 앞서, 업계에서 30~40나노 공정이 전반적으로 도입되고 있다. 공정 미세화의 한계 시점에도 그만큼 빨리 다가서, 첨단 공정으로 안정적인 수율을 확보하는 일이 업계의 과제로 부각되고 있다.

지금까지 42나노 공정으로 낸드플래시를 중점 생산해 온 삼성전자는 미세화가 더 수월한 35나노 공정을 우선 도입한 뒤, 안정화 단계를 거쳐 32나노로 넘어가는 전략을 택했다. 이는 하이닉스가 50나노급 공정에서 현재 41나노 공정으로 넘어가는 과정에서, 48나노 공정을 우선 도입했던 사례와 같은 것.

'4강'으로 압축된 낸드플래시 업계는 30나노급 공정을 경쟁적으로 도입하고 있다. 업계 4위 IM플래시(인텔-마이크론테크놀로지 합작사)가 지난해 하반기 34나노 공정을 도입했고, 삼성전자가 이번에 35나노 공정으로 우선 양산에 들어갔다. 2위 도시바는 32나노 공정의 시제품을 선보이며, 예정보다 2개월 앞당겨 오는 7월부터 제품 생산에 돌입키로 했다. 하이닉스 역시 연말경 32나노 공정을 도입하며 1~2위 기업과 격차를 없앤다는 방침이다.

낸드플래시 공정의 미세화가 진행되면서 제품 용량은 현재 주력인 16Gb에 이어 32~64Gb로 커지고 있다. 어른 손톱 크기의 낸드플래시 적층칩(단품을 쌓은 제품) 하나가 32~64GB의 대용량을 제공하게 되면서, 고성능 휴대폰과 USB메모리, 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 등의 저장용량은 더 확대될 전망이다.

권오현 삼성전자 사장은 11일 서울 여의도에서 열린 기업설명회(IR)에서 내년부터 20나노급 낸드플래시를 생산해, 경쟁사와 격차를 6개월 이상 확대한다는 전략을 발표했다. 낸드플래시 미세공정이 한계로 치닫는 가운데, 삼성전자와 경쟁사 간 '쫓고 쫓기는' 미세화 경쟁이 어떤 양상을 보일지 주목된다.