[3분기실적]삼성전자 "반도체투자 소폭조정"

삼성전자가 당초 7조원 이상의 올해 투자 계획을 그대로 유지키로 했던 방침을 선회, 예정했던 투자 규모를 소폭 조정하면서 시장상황에 맞춰 탄력적으로 대응하겠다고 24일 밝혔다.

삼성전자는 D램과 낸드플래시메모리 1위 기업으로 업계에서 유일하게 공격적인 투자와 함께 출하량을 늘려왔다. 삼성전자의 투자 축소는 규모에 따라 시장의 공급과잉 해소에 적잖은 영향을 미칠 수 있어 주목된다.

삼성전자는 지난 3분기 반도체총괄 사업부문에서 연결 기준 5조2천900억원의 매출과 1천900억원의 영업이익을 올렸다. 세계 메모리반도체 업체들이 줄줄이 적자에 빠져있는 가운데, 흑자기조를 이어가면서 차별화된 경쟁력을 과시했다.

삼성전자는 4분기 들어 42나노미터 공정 기반 낸드플래시 양산에 돌입한 것으로 나타났다. 이는 낸드플래시 2위 기업 도시바의 43나노, 3위 하이닉스의 48나노보다 더 미세한 공정으로 원가경쟁력 확보에 도움을 줄 전망이다.

삼성전자는 3분기 56나노 공정 기반의 D램 생산을 확대하고 멀티칩 패키지(MCP), 모비낸드(MoviNAND) 등 차별화된 제품으로 수익성을 높이는데 역점을 둔 것으로 나타났다. 업계 후발업체들이 가격하락 폭이 심한 범용 D램과 낸드플래시 생산에 집중한 점과 달리, 차별화된 전략으로 수익성 확보에 나선 것.

메모리반도체 외 시스템LSI 부문은 디스플레이 구동칩(DDI), 스마트카드 집적회로(IC), 시모(CMOS) 이미지센서(CIS) 등 기존 주력 부문이 지속 성장했다. 또 홈·미디어(Home&Media) 분야 매출이 호조를 보인 것으로 나타났다.

삼성전자는 "4분기는 세계 경기침체로 성수기 효과가 약화되고, 메모리반도체 공급과잉 상황의 개선도 기대하기 어려운 만큼 경쟁력 강화에 중점 둘 계획"이라고 전했다.