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삼성전자, 50나노급 1Gb DDR2 인텔인증 얻어

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삼성전자는 지난해 10월 세계 최초로 개발한 50나노급 1기가비트(Gb) DDR2 D램에 대해 중앙처리장치(CPU) 제조업체 인텔의 인증을 얻었다고 19일 발표했다.

이는 DDR2 제품 중 가장 빠른 초당 800메가비트(Mb)의 데이터 처리 제품에 대해 양산을 할 수 있는 수준의 능력을 확보했다는 점을 공인받아, 제품 공급에 나설 수 있게 됐다는데 의미가 있다.

삼성전자의 50나노급 1기가 DDR2 D램은 현재 주력 양산공정인 80나노급 대비 2배, 60나노급 1Gb DDR2 D램 대비 50% 이상 생산성을 높일 수 있다.

올해 하반기 D램 시장은 마이크로소프트의 운영체제 윈도비스타가 일반 사용자용 PC뿐만 아니라 기업용 PC까지 본격 채용되면서, 메인메모리 용량의 증가와 고성능화가 가속화 될 것으로 전망된다.

또 주력 제품이 512Mb에서 1Gb로 급격히 전환되는 것은 물론, 차세대 제품인 DDR3 D램 채용시스템이 시장에 선보이면서 D램 시장에 적잖은 변화가 있을 것으로 예상된다.

삼성전자는 이번 50나노급 D램을 내년 상반기 양산할 예정이다. 또 50나노급 기술을 DDR2뿐만 아니라 DDR3, 그래픽, 모바일 등 전체 D램 제품군으로 확대 적용할 계획이다.

권해주기자 postman@inews24.com


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