삼성전자(대표 윤종용)가 차세대 주력 제품이 될 메모리반도체 'DDR3' D램을 업계 최초로 개발했다고 17일 발표했다.
이 제품은 DDR에 비해 4배, 주력 제품으로 올라서고 있는 DDR2 D램보다도 2배 빠른 기가급(1.066Gbps) 핀당 동작속도를 낸다. 메모리 제품으로는 처음으로 1.5V의 저전압으로 동작해, 1.8V에서 동작하는 DDR2보다 20% 가량 전력소모도 적다.
최첨단 80나노 공정을 적용한512메가(Mb) 대용량 제품으로 세계반도체표준협회(JEDEC)의 DDR3 표준 규격을 지원하는 최초 제품이라는 타이틀을 거머쥐게 됐다.
현재 주력 메모리 시장은 DDR에서 DDR2로 전환이 활발이 이루어지고 있다.
삼성전자는 ▲구동기 자동 보정기술(Self Driver Calibration) ▲데이터 전송 동기화 기술(Data Synchronization) 등의 신기술을 적용하면서 신제품 개발이 가능했다.

삼성전자 관계자는 "이번 제품 개발로 PC용 메인메모리의 동작속도도 기가시대에 진입하게 됐다"면서 "PC·노트북·서버 등 컴퓨터 시스템이 빠르게 고성능화 되고 있다"고 말했다.
DDR3 D램은 오는 2006년 초기 시장이 형성될 전망이다.
삼성전자는 올해 연말까지 DDR2의 생산비중을 50% 선으로 확대하고 내년 초부터는 DDR3 D램의 양산에 들어갈 계획이다.
한편, 반도체 전문 조사기관 IDC에 따르면 DDR3 D램은 2008년에는 전체 D램 시장의 약 37%를 차지하면서 주력 제품으로 부상할 전망이다.
/강호성기자 chaosing@inews24.com