[초점] 마이크론·SK, '10나노급 4세대 D램' 혈투 막 올라…삼성은?

[아이뉴스24 민혜정 기자] 마이크론에 이어 SK하이닉스가 10나노미터(nm)급 4세대(1a) D램 양산에 돌입했다.

특히 SK하이닉스는 최신기술인 극자외선(EUV) 미세공정을 적용한 1a D램을 생산하는 점에서 한층 기술력을 끌어올렸다는 평가가 나온다.

SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) LPDDR4 모바일 D램의 양산을 이달 초 시작했다고 12일 밝혔다.

반도체 업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있으며, 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)에 이어 1a는 4세대 기술이다. 1a의 회로 선폭은 10㎚ 중반으로 알려져 있다.

1a D램은 이전 세대(1z) 같은 규격 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량을 약 25% 늘릴 수 있다.

SK하이닉스는 처음으로 EUV 공정 기술을 통해 D램을 양산한다. 10나노급 4세대 D램 생산에 EUV 공정을 적용한 건 SK하이닉스가 처음이다. EUV 공정은 EUV 광원이 기존 공정에 적용 중인 불화아르곤 광원보다 파장이 훨씬 짧기 때문에 더 미세하게 패턴을 새길 수 있다.

앞서 SK하이닉스는 1y(2세대) 제품 생산 과정에서 EUV를 일부 도입해 안정성을 확인한 바 있다.

미국 마이크론은 지난 1월 1a D램 양산을 발표했다. 기술 뻥튀기 논란도 있었지만 삼성전자와 SK하이닉스보다 빨리 1a D램 양산을 발표했다는 점에서 반도체 업계를 놀라게 했다. 다만 마이크론은 EUV가 아닌 기존 불화아르곤 포토레지스트를 활용해 1a D램을 생산했다.

SK하이닉스는 'D램 1위' 삼성전자보다 한 발 빨리 1a D램을 양산하는데 성공해 점유율 상승이 기대된다. 삼성전자는 연내 1a D램 양산을 예고한 상태다.

시장조사업체 옴디아에 따르면 올해 1분기 D램 점유율은 삼성전자가 (41.2%), SK하이닉스(28.8%), 마이크론(24.3%) 순이다.

SK하이닉스 관계자는 "이번 1a D램은 생산성과 원가경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품"이라며 "EUV를 양산에 본격 적용함으로써 최첨단 기술을 선도하는 기업으로서의 위상을 공고히 할 수 있을 것"이라고 강조했다.