도시바, 15나노 100Gb 플래시 칩기술 개발

도시바가 현재 양산기술보다 4세대나 앞선 플래시메모리 칩 기술을 개발했다고 밝혀 관심을 모은다.

14일 일본 지역을 비롯한 외신들에 따르면 도시바는 15나노미터 공정기술을 기반으로 100기가비트(Gb) 용량의 플래시메모리 관련 기술을 개발했다고 발표했다. 단 시제품 개발 및 양산 시기에 대한 구체적인 언급은 없는 것으로 나타났다.

도시바는 절연막질 데이터를 저장하는 전하기억 소자 '소노스(Sonos, Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor)'와 새로운 형태의 이중터널계층 기술을 활용했다고 전했다.

15나노 미세공정기술은 현재 삼성전자, 도시바, 하이닉스반도체 등 낸드플래시 3강 업체들이 적용하고 있는 50나노급 공정보다 4세대나 앞선 기술이다. 최근 하이닉스가 2008년 초부터 48나노 기술을 적용해 세계 최초로 40나노급 공정 기반 제품을 상용화하겠다고 밝혀 시선을 모으고 있는 상황.

100Gb 용량도 현재 양산되고 있는 낸드플래시 제품의 최대 용량인 16Gb보다 6배 가량 많은 수준이다.

현재 시제품으로 생산된 플래시메모리의 최대 용량은 64Gb로, 삼성전자가 지난 10월 '메모리 신성장론'(일명 '황의 법칙')을 8년째 입증하며 선보였었다. 삼성전자는 당시 30나노 기술을 적용해 시제품 개발에 성공했다. 이 제품은 오는 2009년경 상용화될 예정이다.

삼성전자는 새 낸드플래시 개발에 기존 'DPT(Double Patterning Technology)' 기술과 차별화 된 독창적 'DPT 기술(SaDPT, Self-aligned Double Patterning Technology)'을 비롯, 첨단 설계·소자·레이아웃 기술을 집대성했다고 밝혔다. 삼성전자는 여기에 기존 'CTF(Charge Trap Flash)' 기술을 적용해 20나노급 256Gb 낸드플래시까지 개발할 수 있는 가능성을 알렸다.

삼성전자와 도시바 등의 차차세대 플래시메모리 기술이 상용제품의 양산으로 이어질 경우 차세대 저장장치 솔리드 스테이트 드라이브(SSD) 등 플래시메모리 기반 저장장치의 일대 혁명을 가져올 것으로 기대된다.