하이닉스, 美 오보닉스와 P램 라이선스 계약

하이닉스반도체(대표 김종갑)는 차세대 메모리반도체 P램의 원천기술을 보유한 미국 오보닉스와 P램 기술에 대한 라이선스 계약을 맺었다고 1일 발표했다.

하이닉스와 오보닉스는 P램 기술 개발을 비롯해 재료, 공정, 디자인, 생산 등 분야에서 협력하게 된다. 하이닉스 박성욱 부사장은 "메모리 시장의 새로운 패러다임을 가져올 P램 사업에 본격 진출했다는 데 의의가 크다"며 "P램의 성공적인 기술 개발 및 양산을 위해 매진할 것"이라고 밝혔다.

P램은 상변화 물질에 전류를 가하면 고체와 액체로 변하는 상변화에 따른 저항의 차이를 이용하는 비휘발성 메모리다. 보통 D램의 기억 소자는 트랜지스터와 캐패시터로 구성되는데 비해, P램은 캐패시터 대신 트랜지스터와 레지스터로 구성돼 소자 크기는 물론 생산 비용까지 줄일 수 있을 것으로 기대된다.

D램과 같은 낮은 전압에서 동작이 가능하며, 플래시메모리보다 10배 이상 빠른 처리속도를 구현할 수 있다. '퍼펙트(Perfect) 램' 이라 불릴 만큼 우수한 성능을 갖춘 P램은 향후 D램과 플래시메모리를 대체할 수 있는 차세대 메모리의 선두주자로 기대를 모으고 있다.

하이닉스는 지난 7월 발표한 중장기 마스터플랜에서 오는 2017년까지 매출의 30% 이상을 P램 등 신규 제품군으로 채우겠다고 밝혔다.

하이닉스는 차세대 메모리 관련 기술 개발 및 상용화를 위해 다른 회사들과 손을 잡는데 적극 나서고 있다. 지난 8월엔 스위스의 메모리반도체 기술 개발업체 이노베이티브실리콘과 신개념 메모리 반도체 Z램 관련 라이선스 계약을 맺기도 했다. 회사 측은 앞으로 차세대 메모리 개발을 위한 제휴 및 협력을 지속적으로 확대해 다양한 제품군을 개발할 것이라고 밝혔다.