AMD-IBM, 45나노 공정 신기술 발표

AMD와 IBM이 공동 개발한 45나노미터(nm) 반도체 생산공정의 첫 제품이 2008년이면 정식으로 얼굴을 드러낼 것으로 보인다.

양사는 미국시간으로 12일에 개최된 국제전자단말기회의(IEDM; International Electron Device Meeting)에서 프로세서 생산을 위한 45nm 제조 공정에 적용하게 될 신기술들을 발표했다.

이번 발표된 신기술에는 이머션 리소그래피 기술과 초저전력 기술을 위한 절연체(ultra-low-K interconnect dielectrics) 및 최신 다중 트렌지스터 스트레인 기술 등이 포함돼 있다.

특히 AMD와 IBM 양사는 이번에 개발한 이머션 리소그래피 기술이 기존 전통적인 리소그래피 방식만을 사용하고 있는 경쟁사에 비해 제조공정상의 이점을 제공하기 때문에 성능은 높이고 비용은 줄일 수 있게 됐다고 강조했다.

양사의 설명에 따르면 현재의 공정 기술은 전통적인 리소그래피를 사용함으로써 65nm 제조 공정 이후의 마이크로프로세서 설계 방식을 정립하는데 있어 많은 제약이 있다는 것.

반면, 이머션 리소그래피는 투사 렌즈와 수백 개의 마이크로프로세서를 포함하는 웨이퍼 사이의 공간에 투명한 액체를 채워 넣게 되는 스텝앤드리핏(step & repeat) 기술을 이용, 반도체 제조시 초점 심도를 높이고 이미지 충실도(image fidelity)를 향상시켜 칩 단계에서의 성능 및 제조 공정 효율성을 향상시킬 수 있어 유리하다고 양사는 주장했다.

또한 전기 용량 및 배선 지연을 감소시켜주는 초저전력 절연체를 사용해 프로세서 성능을 한층 개선하고, 전력 낭비를 낮출 수 있게 될 것이라는게 양사의 설명이다. 한편 AMD와 IBM은 지난 2003년 1월 이래로 반도체 제조공정 기술 협업을 진행해왔으며 2005년 11월 32nm및 22nm 공정 기술 개발을 위해 2011년까지 상호 협력을 연장한다고 발표한 바 있다.