SK하이닉스 "HBM4E 2026년 양산"…계획 1년 앞당겨

[아이뉴스24 김종성 기자] SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM4E)를 2026년부터 양산하기로 했다. 생성형 인공지능(AI) 확산 속도가 빨라지면서 당초 계획보다 양산 시기를 1년 앞당겼다.

13일 김귀욱 SK하이닉스 HBM선행기술팀장은 서울 광진구 그랜드워커힐 호텔에서 열린 국제메모리워크숍(IMW 2024)에서 차세대 HBM 개발 방향을 소개하며 이같이 밝혔다. SK하이닉스가 HBM4E 개발 로드맵을 공개한 것은 이번이 처음이다.

SK하이닉스는 엔비디아 등 AI 반도체 칩에 탑재되는 HBM 첫 제품을 2014년 개발했다. 이후 2018년 HBM2(2세대), 2020년 HBM2E(3세대), 2022년 HBM3(4세대)에 이어 올해 HBM3E(5세대)를 선보이는 등 약 2년 주기로 제품이 진화해왔다. 그러나 AI 확산이 빨라지며 HBM 성능 고도화가 한층 빨라질 것으로 전망된다. 김 팀장은 "그동안 HBM은 2년 단위로 발전해왔지만, 5세대(HBM3E) 제품 이후로는 1년 주기로 단축되고 있다"고 설명했다.

SK하이닉스는 HBM4 16단 제품을 2026년에 양산하겠다는 계획을 세웠다. 앞서 SK하이닉스는 HBM4까지는 어드밴스트 MR-MUF 공정을 적용하겠다고 밝힌 바 있다. MR-MUF는 SK하이닉스가 D램을 접합, HBM을 적층하는 기술로 HBM3E까지 적용해왔다.

SK하이닉스는 HBM4 이후부터는 더 많은 D램을 적층하기 위해 '하이브리디 본딩'을 적용할 수 있다는 입장도 내비쳤다. 하이브리드 본딩은 D램 상하를 구리로 완전히 접합하는 기술로, 칩 사이의 범프를 없앨 수 있어 더 많은 D램을 쌓을 수 있다. 김 팀장은 "HBM4에선 주력 공정인 MR-MUF는 물론 하이브리드 본딩도 연구 중이지만, 현재까진 수율이 높지 않다"며 "고객사가 20단 이상 제품을 요구했을 때에는 두께 한계 때문에 새로운 공정을 모색해봐야 할 수 있다"고 말했다.

업계에선 SK하이닉스가 HBM4E에는 10나노급 6세대(1c) D램을 처음으로 적용할 것으로 전망된다. 지금까지 SK하이닉스는 10나노급 5세대(1b) D램을 활용해 HBM3E와 HBM4를 만들었다.