SK하이닉스, '세계 최초' 12단 적층 HBM3 개발로 기술적 한계 극복

[아이뉴스24 이윤 기자] SK하이닉스가 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층한 HBM3 신제품을 개발했다.

HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품으로, HBM3는 1세대(HBM), 2세대(HBM1), 3세대(HBM2)에 이은 4세대 제품이다. 기존 HBM3의 최대 용량은 D램 8개를 적층한 16GB였으나 이번 신제품 개발로 현존하는 D램 중 가장 큰 24GB의 용량을 구현하면서 기술적 한계를 다시 한 번 넘어섰다.

SK하이닉스가 2013년 세계 최초로 개발한 HBM은 고성능 컴퓨팅을 요구하는 생성형 AI에 필수적인 메모리 반도체 제품으로, 최신 규격인 HBM3는 대량의 데이터를 신속히 처리하는 데 최적의 메모리로 평가받는다. 특히 빅테크 기업들의 수요가 점차 늘어남에 따라 이번 신제품에 업계의 이목이 집중되고 있다.

SK하이닉스는 현재 다수의 글로벌 고객사에 HBM3 24GB 샘플을 제공해 성능 검증을 진행 중이며, 고객들 역시 이 제품에 대해 큰 기대감을 보이고 있는 것으로 알려졌다.

한편, SK하이닉스는 “최근 AI 챗봇(Chatbot, 인공지능 대화형 로봇) 산업이 확대되면서 늘어나고 있는 프리미엄 메모리 수요에 맞춰 하반기부터 시장에 신제품을 공급할 수 있을 것”이라고 강조하며, "상반기 내 이번 신제품 양산 준비를 완료해 AI 시대 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 해나가겠다”고 밝혔다.