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삼성전자, IBM 서버용 5나노 칩 생산한다

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삼성-IBM, 수직 트랜지스터 아키텍처 활용 신규 반도체 디자인도 공동 개발

[아이뉴스24 민혜정 기자] 삼성전자가 5나노미터(nm, 10억분의1m) 공정의 IBM 서버용 칩 생산을 수주했다. 이와 더불어 IBM과 삼성전자는 신규 반도체 디자인(VTFET)도 공동 개발하는 등 협업을 강화하고 있다.

IBM은 5나노 공정의 서버용 칩을 삼성전자가 위탁 생산한다고 15일 밝혔다.

앞서 지난 2018년 IBM이 삼성 파운드리 7nm 공정에서 만들겠다고 발표한 칩은 올해 초부터 IBM 파워10 서버 제품에 적용되고 있다. 또 올 초 공개한 IBM 텔럼 프로세서 역시 IBM 설계로 삼성에서 제조했다.

뉴욕 올버니 나노테크 연구소 열압착 본딩 도구를 활용하는 IBM 연구원 [사진=IBM]
뉴욕 올버니 나노테크 연구소 열압착 본딩 도구를 활용하는 IBM 연구원 [사진=IBM]

이번에 IBM은 삼성전자와 연구·개발(R&D) 성과도 공개했다. 양사는 수직 트랜지스터 아키텍처를 활용한 신규 반도체 디자인을 선보였다. 기존 핀펫(FinFET) 구조 대비 전력 사용량을 최대 85% 절감할 수 있다는 게 IBM 측 설명이다.

그동안 트랜지스터는 반도체 표면에 수평으로 배치해 전류가 측면 또는 좌우로 흐를 수 있게 설계됐다. IBM과 삼성전자는 새로운 VTFET(Vertical Transport Field Effect Transistors) 기술을 통해 칩 표면에 수직으로 트랜지스터를 쌓아 수직 또는 상하로 전류를 흐르게 하는 데 성공했다.

VTFET 공정은 칩 설계자들이 한정된 면적에 더 많은 트랜지스터를 집적할 수 있게 한다. 트랜지스터 접점도 개선해 전류 낭비를 줄이는 동시에 더 많은 전류가 흐를 수 있게 지원한다.

IBM은 VTFET로 나노 공정의 한계를 뛰어넘어 반도체 성능을 지속적으로 확장해나갈 수 있다고 설명했다. 실질적인 측면에선 일주일간 배터리를 충전하지 않아도 휴대폰 사용이 가능한 반도체를 만들 수 있고 암호화폐 채굴이나 데이터 암호화와 같은 높은 전력이 필요한 작업의 전력 사용량이나 탄소 배출량도 줄일 수 있게 된다.

무케시 카레 IBM 리서치 하이브리드 클라우드 및 시스템 담당 부사장은 "새로 발표한 기술은 관습에 도전하며 일상과 비즈니스를 개선하고 환경에 미치는 영향을 줄이는 혁신을 제공한다"며 "반도체 업계가 여러 부문에서 어려움을 겪고 있는 상황에서 IBM과 삼성전자가 함께 노력한다는 것을 보여주는 사례"라고 강조했다.

/민혜정 기자(hye555@inews24.com)




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