KIST, 차세대 초저전력 스핀 메모리 구현기술 '개발'

[아이뉴스24 김문기 기자] 한국과학기술연구원(KIST, 원장 이병권) 스핀융합연구단 우성훈 박사팀은 전기적인 방법으로 개개의 스커미온을 쓰고(Creation) 지우는(Deletion), 스커미온 기반 전자소자 구현의 핵심기술을 세계 최초로 개발했다고 16일 발표했다.

스커미온(Skyrmion)'은 지난 2009년 처음 발견된 소용돌이 모양의 스핀 구조체. 특유의 위상학적 안정성과 작은 크기, 효율적인 움직임 등 초고밀도, 고속력 차세대 메모리 소자의 기본 단위로 학계 매주목을 받고 있다.

기존에는 스커미온 상태를 형성하고 없애려면 외부 자석을 이용한 자기장 인가가 필요했으나 이 같은 외부 자기장 없이 전기적인 방법으로 개개의 스커미온을 쓰고 지우는 기술 개발에 성공한 것.

이는 향후 스커미온 기반의 메모리, 논리소자 등 전자 소자 구현을 위한 열쇠가 될 것으로 예상된다.

연구진은 이번에 스커미온이 형성되고 사라지는 과정에서 나타나는 독특한 물리학적 거동을 밝혀냄으로써, 스커미온의 위상학적 특성을 외부 전류를 이용해 자유롭게 조절 가능하다는 것을 최초 증명했다.

실제 스커미온을 사용하여 전자 소자를 구동하기 위해서는 정보의 가장 기본단위가 되는 개개의 스커미온을 원하는 위치에 원하는 개수만큼 쓰고 지울 수 있어야 한다. 현재까지의 보고된 연구에서는 외부 자석을 이용하여 자기장을 인가하는 방법으로만 스커미온 상태를 형성하고 변화시킬 수 있었고, 이러한 방법은 전자 소자에 적용이 불가능해 명확한 한계를 가지고 있었다.

우성훈 KIST 박사팀의 이번 연구는 스커미온을 쓰고 지우는 기술을 세계최초로 개발함으로서 실제 메모리, 논리소자 등의 전자소자에 적용되기 위한 가장 큰 기술적인 난제 중 하나를 해결한 것으로 평가된다.

향후 이 기술을 발판 삼아 스커미온 기반의 초저전력 전자소자 구현을 앞당기는 데 크게 기여할 것으로 기대된다.

우성훈 KIST 박사는 "이번 연구로 스커미온의 기술적 난제 중 하나를 해결했다"며, "기존에 발표한 상온 스커미온 형성기술, 스커미온 고효율 이동 기술 등에 이 기술을 접목, 빠른 시일 내 실제 스커미온 기반의 초저전력 스핀 메모리 소자 구현을 이룰 수 있을 것으로 기대한다"고 말했다.