하이닉스, 0.1 미크론급 512메가 DDR SD램 개발

하이닉스반도체(www.hynix.com)는 0.1 미크론의 초미세 회로선폭 기술을 적용한 512메가 DDR SD램 개발에 성공했다고 29일 발표했다.

이 회사 관계자는 "이번에 개발된 0.1 미크론급 제품은 기존의 블루칩(0.15미크론) 기술과 프라임칩(0.13미크론) 기술을 잇는 골든칩(Golden Chip)이라는 또 하나의 첨단 반도체 기술이 적용됐다"고 밝혔다.

골든칩 기술은 기존 프라임칩 공정에서 사용했던 장비를 이용해 추가투자 없이 양산을 할 수 있어 경쟁사 대비 투자비용을 약 50% 줄일 수 있으며, 프라임칩 기술 대비 웨이퍼 당 칩(Chip) 개수도 40%이상 향상 시킬 수 있는 게 특징.

골든칩 기술이 적용된 512메가 DDR SD램은 PC, 서버 등의 메인 메모리용 제품으로 시장 수요 추이를 반영해 DDR266과 DDR333, DDR400 등을 지원하고 있다.

하이닉스는 512메가 DDR SD램 양산을 올 연말부터 시작할 계획이다. 이어 내년 상반기에는 골든칩 기술이 적용된 256메가 DDR SD램과 1기가 DDR SD램을 세계 첫 양산에 돌입한다는 방침이다.