주성, 세계 최초 'MOCVD IGZO' TFT 공정 및 장비 개발 성공

[권혁민기자] 주성엔지니어링(대표이사 황철주)은 2일 디스플레이 해상도를 획기적으로 높일 수 있는 'MOCVD IGZO' TFT 공정 및 장비기술 개발에 세계 최초로 성공했다고 발표했다.

'MOCVD IGZO' 기술이란 기존 LCD 패널 구동소자의 재료인 비결정(amorphous) 실리콘보다 전자 이동 속도를 수십 배 높여 풀 HD보다 높은 차세대 고해상도 디스플레이 제조를 가능하게 하는 기술이다.

주성의 이번 기술 개발은 IGZO 기술의 기존 방식인 스퍼터(Sputter) 방식을 CVD 공정으로 개발, 세계 최초의 Oxide TFT 기술을 구현했다는 점에 의미가 있다.

현재 MOCVD방식으로 8세대 기술 대응이 가능한 기업은 세계에서 주성이 유일하다.

주성은 '인듐(In)-갈륨(Ga)-아연(Zn)-산소(O)'를 재료로 만든 투명 비결정 산화물 반도체(TAOS)인 IGZO TFT 제조를 MOCVD 방식으로 각 원재료의 개별 비율을 자유롭게 조절해 화학적으로 증착할 수 있게 했다.

기존 스퍼터(Sputter) 방식은 물리적으로 증착하는 방식으로 원재료가 되는 물질의 비율이 고정되었던 단점이 있었다.

회사측은 이번 공정으로 생산성 및 안정성 측면에서도 경쟁사 대비 우수한 세계 최고 수준의 전자 이동 속도를 구현한 것이 가장 큰 특징이라고 설명했다.

또 산화물 반도체는 비정질 실리콘 기반의 TFT보다 전자 이동도(Mobility)를 40배 이상 대폭 향상, 액정의 반응 속도를 더 빨리 제어할 수 있어 초대형, 고선명 디스플레이로 진화하는 기술 시장에서 기존 비정질실리콘(a-Si) 방식을 대체하는 방식으로 주목 받고 있다.

주성은 이번 Oxide TFT 기술이 LCD TV, OLED TV, 모바일 디스플레이 등 차세대 기술대응 및 1초에 480장 이상의 화면을 고속 처리하는 차세대 디스플레이 구현까지 가능한 만큼 디스플레이 시장 선점에 주력한다는 목표다.

주성 관계자는 "전 세계 디스플레이 관련 기업이 IGZO TFT 방식을 통한 고속 구동 디스플레이 기술 선점에 나서고 있다"며 "이번 Oxide TFT 방식의 앞선 기술력을 확보를 통해 글로벌 종합 장비기업으로의 시장영향력 구축에도 박차를 가할 것"이라고 말했다.