하이닉스, D램 원가경쟁력 높였다

하이닉스가 D램 원가경쟁력을 또 한 번 높였다.

하이닉스반도체(대표 권오철)는 30나노급 기술을 적용해 4기가비트 DDR3 D램을 개발했다고 29일 발표했다.

30나노급 4기가비트 DDR3 D램은 비교적 대용량 서버 및 고사양 컴퓨터에 활용가능한 제품이다. 40나노급 D램에 비해 생산성을 약 70% 높였다. 전력소모는 약 60% 적다. 또 1333Mbps 제품과 비교해 데이터 처리 속도가 약 60% 높다.

하이닉스 관계자는 "30나노급 D램 개발을 통해 하이닉스는 업계 최고 수준의 기술경쟁력 및 원가경쟁력을 확보했다"고 말했다.

하이닉스는 또 30나노급 2기가비트 DDR3 D램에 대한 개발을 끝내고 오는 2011년 1분기부터 양산을 시작한다.

하이닉스 연구개발제조총괄본부장(CTO) 박성욱 부사장은 "하이닉스는 전체 D램 생산량의 50%가량이 2기가비트 제품"이라며 "앞으로 고용량, 고성능, 저전력 제품 비중을 지속적으로 늘려 4기가비트 제품 등 프리미엄 시장을 주도적으로 이끌 계획"이라고 말했다.