인피니언, 세계 첫 300㎜ GaN 전력반도체 양산시설 구축

[아이뉴스24 황세웅 기자] 인피니언 테크놀로지스가 오스트리아에 세계 최초의 300㎜ 웨이퍼 기반 질화갈륨(GaN) 전력반도체 양산시설을 구축한다.

인피니언은 2034년까지 오스트리아 빌라흐의 기존 생산시설에 약 11억유로(약 1조6300억원)를 투자해 300㎜ GaN 전력반도체 양산체제를 마련한다고 28일 밝혔다.

기존 클린룸과 생산 인프라를 활용해 제조 역량을 확대하고 2027년 말까지 생산을 시작할 계획이다.

GaN은 기존 실리콘 기반 반도체보다 전력 변환 과정에서 발생하는 에너지 손실과 발열을 줄일 수 있는 소재다. 인공지능(AI) 데이터센터와 에너지 인프라, 전기차, 로봇 등에서 활용도가 높아지고 있다.

인피니언은 2024년 업계 최초로 300㎜ GaN 웨이퍼 가공에 성공했다. 300㎜ 웨이퍼는 기존 200㎜ 웨이퍼보다 한 장에서 생산할 수 있는 칩 수가 2.3배 많아 생산 효율을 높일 수 있다.

이번 투자는 유럽 반도체법에 따른 지원도 받는다. 유럽연합(EU) 집행위원회는 3억1900만유로 규모의 국가 지원을 승인했다.

시장조사업체 욜그룹은 글로벌 GaN 전력반도체 시장이 2031년 약 35억달러 규모로 성장할 것으로 전망했다.

요흔 하나벡 인피니언 최고경영자(CEO)는 "300㎜ 웨이퍼 기반 양산체제를 통해 GaN 전력반도체의 대량 생산을 실현하고 AI와 에너지 인프라, 전기차 등 주요 분야로 적용을 확대하겠다"고 말했다.