[아이뉴스24 박지은 기자] DB하이텍이 전기차 등에 쓰이는 차세대 전력반도체를 8인치 웨이퍼에서 생산하는 기술을 확보했다.
현재 주로 사용하는 6인치보다 큰 웨이퍼를 활용해 생산량을 늘리고 가격 경쟁력을 높일 수 있는 것이 특징이다.
DB하이텍은 8인치 웨이퍼 기반 1200볼트(V) 탄화규소(SiC) 전력반도체 공정의 신뢰성 검증을 완료했다고 9일 밝혔다.
회사는 세계 최초로 8인치 SiC 파운드리 일괄공정을 구축했으며 오는 2027년 양산에 나설 계획이다.
탄화규소는 기존 실리콘보다 높은 온도와 전압을 견디면서 전력 손실을 줄일 수 있는 반도체 소재다.
전기차의 배터리 전력을 모터에 전달하거나 충전할 때처럼 많은 전기를 효율적으로 제어해야 하는 곳에 주로 사용된다. 신재생에너지와 산업용 전력기기 등으로도 활용처가 넓어지고 있다.
현재 SiC 반도체는 대부분 6인치 웨이퍼에서 생산된다. 웨이퍼는 반도체를 만드는 원판이다.
크기를 8인치로 키우면 원판 한 장에서 더 많은 반도체 칩을 만들 수 있다. 생산 효율을 높이고 칩 하나당 제조 비용을 낮출 수 있어 글로벌 업체들도 8인치 전환을 추진하고 있다.
DB하이텍은 이번 기술 개발을 통해 고객사의 반도체 설계부터 생산, 성능 평가와 신뢰성 검증까지 지원할 수 있게 됐다.
제품 개발을 쉽게 할 수 있도록 설계에 필요한 정보를 모은 공정설계키트(PDK)도 제공한다.
현재 1·2세대 PDK를 고객사에 제공하고 있으며 오는 11월 성능을 높인 3세대 제품을 추가할 예정이다.
DB하이텍은 이를 이용하면 고객사가 제품을 개발하는 기간을 1년 이상 줄일 수 있다고 설명했다.
DB하이텍은 올해 3분기 기존 고객을 대상으로 서비스 준비를 마치고 2027년 2분기부터 모든 고객사로 서비스를 확대할 계획이다.
회사 관계자는 "2027년 8인치 SiC 양산을 차질 없이 준비해 차세대 전력반도체 파운드리 시장에서 경쟁력을 확대하겠다"고 말했다.
/박지은 기자(qqji0516@inews24.com)