[아이뉴스24 권서아 기자] SK하이닉스가 미국 첫 공장(팹) 건설에 들어갔다. 우선 40억 달러 이상을 투자해 인공지능(AI) 메모리 핵심인 고대역폭 메모리(HBM) 첨단 패키징 팹을 짓는다. 업계의 관심은 벌써 다음 단계로 향하고 있다.
미국에서 D램 웨이퍼를 직접 생산하는 전공정 팹까지 추가로 건설할지 여부다.
AI 확산으로 메모리 공급 부족이 장기화할 것으로 예상되는 데다, 미국 정부의 현지 생산 확대 압박까지 거세지고 있어 SK하이닉스의 추가 투자 가능성에 관심이 쏠린다.
美 패키징 팹 첫 삽…전공정 투자도 열어둬
SK하이닉스는 27일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트라피엣에서 AI 메모리용 첨단 패키징 생산공장인 '인디애나 팹' 기공식을 열었다.
인디애나 팹은 SK하이닉스가 미국에 짓는 첫 공장이다. 한국에서 생산한 D램 웨이퍼를 가져와 HBM 적층과 패키징, 테스트를 진행한 뒤 미국 고객사에 공급한다.
투자 규모는 40억달러(약 5조5000억원) 이상이다. 2028년 10월 클린룸을 완공하고 2029년 3분기부터 다음 세대 제품인 HBM4E(7세대)를 양산할 계획이다. 현재 양산 중인 제품은 HBM4(6세대)다.
곽노정 SK하이닉스 사장은 "미국은 최고의 고객과 연구역량, 생태계가 함께하는 AI 혁신의 중심지"라며 "인디애나 팹은 최초로 '메이드 인 USA' HBM을 제공하는 거점이 될 것"이라고 말했다.
업계에서는 패키징을 넘어 D램 웨이퍼를 직접 생산하는 전공정 팹까지 미국에 들어설지에 관심이 쏠리고 있다. 곽 사장은 미국 내 추가 팹 투자와 관련해 "물과 전력, 인재, 보조금 같은 자원이 제공되는 곳이 있다면 어디에든 열려 있다"고 밝혔다.
전공정 투자까지 이뤄질 경우 SK하이닉스는 미국에서 D램 웨이퍼 생산부터 HBM 패키징까지 전·후공정을 모두 수행할 수 있게 된다. 다만 구체적인 투자 지역이나 시점은 정해지지 않았다.
메모리 생산능력 2배로…추가 팹 필요성 커져
추가 팹을 검토하는 배경으로는 폭증하는 AI 메모리 수요가 있다. 곽 사장은 이번 기공식에서 메모리 공급 부족이 2030년까지 이어질 것으로 전망했다.
최 회장은 다만 신규 팹 투자를 위해서는 전력과 용수, 인력뿐 아니라 수백 개 협력사가 뒷받침하는 반도체 생태계가 함께 갖춰져야 한다는 점을 강조하고 있다. 그는 지난 13일 CNBC 인터뷰에서도 미국 내 메모리 팹 건설에 대해 "기꺼이 할 의향은 있지만 아직 적합한 장소를 찾기가 어렵다"고 말했다.
지난달에는 미국 반도체 기업 인텔의 미국 오하이오주 반도체 팹 인수 가능성이 거론됐지만 SK하이닉스는 "추진하거나 결정한 사실이 없다"고 선을 그었다.
미국 외에 일본도 후보지로 거론된다. 최 회장은 지난 6월 니혼게이자이신문 인터뷰에서 일본을 신규 팹의 "훌륭한 후보지"라고 평가했다. 최근에는 SK하이닉스가 일본 미야기현에 반도체 팹을 건설할 수 있다는 관측도 나왔지만, 미야기현 측은 "아는 바 없다"고 말했다.
삼성·SK, 美 팹 짓는 중…반도체 관세는 변수
미국 트럼프 행정부의 반도체 관세 정책도 국내 반도체 업계의 추가 투자 판단에 영향을 미칠 변수다.
미국 정부는 반도체뿐 아니라 노트북과 게임 콘솔, 데이터센터 서버 등 반도체가 들어간 완제품에도 고강도 관세를 적용하는 방안을 검토하고 있다. 미국 내 반도체 투자 규모와 관세 감면 혜택을 연계하는 방안도 거론된다.
다만 구체적인 반도체 품목별 관세안은 아직 확정되지 않아 업계도 영향을 판단하기는 이르다는 분위기다.
삼성전자와 SK하이닉스가 이미 미국 현지 생산기지 건설에 나선 만큼, 우선 기존 투자가 미국 정부의 관세 정책과 추가 투자 요구에 어떤 영향을 받을지가 관건이다.
삼성전자는 미국 텍사스주에 2개의 테일러 팹을 건설하고 있으며, SK하이닉스도 인디애나주에서 첫 팹 건설에 들어갔다.
김용석 가천대 석좌교수(반도체교육원장)는 "미국의 압박에 적극적으로 대응할 필요가 있다"면서도 "핵심 전공정은 국내 용인 반도체 클러스터 등에 집중 투자하고 미국 현지에는 첨단 패키징 등 후공정 위주로 대응하는 기조를 유지해야 한다"고 말했다.
/권서아 기자(seoahkwon@inews24.com)