삼성전자 "올해 HBM 생산 작년 3배…절반 이상 HBM4"

[아이뉴스24 권서아 기자] 삼성전자가 올해 고대역폭메모리(HBM) 생산량을 지난해보다 3배 이상 확대하고, 절반 이상을 HBM4(6세대)로 채울 계획이다.

황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 16일(현지시간) 미국 캘리포니아 새너제이에서 열린 엔비디아 개발자 행사 'GTC 2026' 현장에서 기자들과 만나 "HBM 생산을 빠르게 확대하고 있으며 올해는 지난해 대비 세 배 이상 수준으로 늘릴 계획"이라고 밝혔다.

삼성전자는 특히 전체 HBM 공급 가운데 절반 이상을 HBM4로 채우는 것을 목표로 하고 있다.

황 부사장은 "수요가 강한 상황에서는 프리미엄 제품 중심으로 공급하는 것이 산업 측면에서도 효율적"이라고 설명했다.

차세대 제품 공정 계획도 공개됐다. 현재 양산 중인 HBM4와 후속 제품 HBM4E의 '베이스 다이(HBM 맨 아래 탑재되는 핵심 부품)'에는 4나노(㎚·10억분의 1m) 공정이 적용된다.

이후 세대인 HBM5와 HBM5E에는 삼성 파운드리의 2나노 공정 적용을 추진하고 있다.

HBM 적층에 사용되는 적층용 칩 '코어 다이'는 10나노급 1c(6세대), 1d(7세대) 공정을 순차적으로 활용할 계획이다.

황 부사장은 "HBM 성능 요구 수준을 맞추려면 선단 공정 적용이 필요하다"고 말했다.

삼성전자는 엔비디아의 AI 칩 출시 주기에 맞춰 HBM도 매년 새로운 세대를 내놓는 전략을 추진하고 있다.

AI 추론용 반도체 생산 계획도 공개됐다.

엔비디아가 기조연설에서 언급한 '그록(Groq)3' 칩은 삼성전자 평택 캠퍼스에서 생산된다. 양산 시점은 올해 3분기 말에서 4분기 초로 예상된다.

그록3는 면적이 700㎟를 넘는 대형 칩으로, 웨이퍼 한 장에서 약 64개만 생산된다. 일반 칩이 웨이퍼당 수백 개 수준으로 생산되는 것과 비교하면 밀도가 낮은 편이다.

칩 내부의 약 70~80%는 S램(SRAM)으로 구성된다. 대용량 SRAM을 활용해 외부 HBM 의존도를 낮추고, 칩 내부에서 AI 추론 연산을 빠르게 처리하는 구조가 특징이다.