삼성전자 송기봉 부사장·한진우 상무 'IEEE 펠로우' 선정

[아이뉴스24 권서아 기자] 삼성전자 DS부문 미주 반도체연구소(DSRA) 시스템LSI 연구소장 송기봉 부사장과 반도체연구소 DRAM 기술개발팀(TD팀) 한진우 상무가 세계 최대 전기·전자·컴퓨터·통신 분야 학회인 미국 전기전자공학회(IEEE)의 2026년 펠로우(석학회원)로 선정됐다.

‘IEEE 펠로우’는 IEEE가 회원에게 부여하는 최고 명예 등급으로, 전체 회원의 상위 0.1%만이 오를 수 있는 권위 있는 자격이다.

전기·전자공학 분야에서 10년 이상 경력을 쌓고, 통신·반도체 등 다양한 분야에서 탁월한 연구개발 성과를 통해 산업과 사회 발전에 기여한 인물을 대상으로, 매년 IEEE 이사회가 엄정한 심사 과정을 거쳐 선정한다.

송기봉 부사장은 현재 시스템LSI 미주 연구소를 총괄하며 모뎀, 커넥티비티, 온디바이스 AI, 시스템온칩(SoC) 기술 개발을 이끌고 있다. 무선통신, 신호처리, 모뎀-무선 전파수(RF) 시스템을 위한 AI 기술과 관련해 다수의 연구 논문을 발표했으며, 80건 이상의 특허를 보유하고 있다.

송 부사장의 IEEE 펠로우 선정에는 셀룰러 통신 분야에서 축적해온 모뎀-RF 시스템 설계와 성능 최적화 기여가 크게 반영됐다.

업계 최초 5G 모뎀 개발, 5G 밀리미터파(mmWave) 송수신기 기술 고도화, 엑시노스 모뎀 5400과 2500에 적용된 비지상 네트워크(NTN) 기반 ‘위성 응급 서비스’ 구현 등 차세대 이동통신 기술 상용화가 높은 평가를 받았다.

송 부사장은 “IEEE 펠로우 선임은 연구자로서 그동안 개발해온 기술과 제품이 사회에 기여했음을 인정받은 결과”라며 “앞으로도 6G와 피지컬 AI 시대를 대비해 통신, 연산, 센싱이 융합되는 반도체 기술 개발에 집중하겠다”고 말했다.

한진우 상무는 차세대 3D D램 연구를 선도하며, D램 셀을 수직 방향으로 쌓아 칩 면적당 저장 용량을 확장하는 기술 개발에 주력해왔다. 이는 차세대 메모리 기술의 핵심으로 평가받는다.

미 항공우주국 경력을 바탕으로 삼성전자에 합류한 한 상무는 200건 이상의 특허와 160편 이상의 국제 과학논문 색인급(SCI) 논문을 발표하며 메모리, 로직, 센서 등 다양한 분야에서 연구 성과를 쌓았다. 이번 IEEE 펠로우 선정은 차세대 3D D램 개발과 장기간 축적한 연구 성과를 인정받은 결과다.

한 상무는 “기존 D램은 평면 구조로 한계에 직면했지만, 단위 셀을 수직으로 쌓는 3D D램(VS-DRAM) 구조를 통해 누설전류 문제와 셀 간 간섭을 최소화하면서 데이터 용량을 확대했다”며 “앞으로는 웨이퍼 본딩 기술을 기반으로 안정적이고 빠른 3D 메모리 신호 연결을 구현하는 연구에 집중할 계획”이라고 밝혔다.

또 “연구자들은 기술을 수평적으로 연결하고, 제품 구조와 계층에 대한 깊은 이해를 갖춰야 한다. 국제적 네트워크를 통한 협력 생태계를 만드는 것이 앞으로의 경쟁력에 필수적”이라고 강조했다.