DB하이텍 조기석 "수요 대응 위해 생산 능력 확대 필요"

[아이뉴스24 박지은 기자] 조기석 DB하이텍 대표이사가 10일 용산 대통령실에서 열린 ‘K-반도체 비전과 육성전략 보고회’에서 8인치 전력반도체 생산 능력 확대와 차세대 전력반도체 개발을 위해 정부의 지원을 요청했다.

조 대표는 “DB하이텍이 세계적으로 기술력을 확보한 고전압 전력반도체 BCD 공정은 자동차뿐 아니라 데이터센터 등 AI 인프라 핵심 부품으로 채택이 급증하고 있다”며 “원활한 수요 대응을 위해 생산 능력 확대가 필요하다”고 말했다.

조 대표는 특히 실리콘카바이드(SiC) 기반 차세대 전력반도체의 중요성을 설명했다.

SiC 반도체는 기존 실리콘보다 높은 전압·고온 환경에서 견딜 수 있고 전력 손실이 적은 특성 때문에 전기차 구동계, 데이터센터 전력변환장치, 국방용 레이더·전력 시스템 등에서 채택이 빠르게 증가하고 있다.

그는 “국방 전력반도체 측면에서도 SiC는 핵심 소재”라며 “DB하이텍은 1200억원을 투입해 SiC 공정을 개발하고 있으며, 2026년 말 개발 완료를 목표로 하고 있다”고 밝혔다. 이어 “SiC 양산체제 준비가 시급하며, 범정부 차원의 적극적 지원이 필요하다”고 말했다.

향후 투자 계획도 제시했다. DB하이텍은 향후 5년간 △클린룸 시설 확장 △고전력 BCD 공정 케파 확충 △SiC 양산체제 구축을 위해 총 1조5000억원 규모 투자를 추진하고 있다.

클린룸 증설을 위한 인허가도 현안으로 꼽았다. 조 대표는 “폐수처리장 인허가 승인이 시급하고, 이를 위해 추가 용수 1만톤 확보가 필요하다”며 정부의 조속한 지원을 요청했다.

정부가 조성 중인 150조원대 국민성장펀드가 생산적 투자로 연결되면 “DB하이텍 투자의 중요한 정책금융 기반이 될 것”이라고도 했다.

조 대표는 국내 팹리스 생태계의 구조적 어려움도 지적했다. “국내 팹리스는 국내 생산능력 부족으로 대만·중국 파운드리로 내몰리고 있고 세계 점유율도 1% 수준”이라며 “12인치 생산은 삼성전자가 유일하지만 미세·선단공정에 집중돼 40나노 이상 성숙공정을 처리할 국내 팹은 부족하다”고 말했다.

그는 “대만·중국·일본처럼 국내에도 두세 개 규모의 성숙·전력공정 팹을 육성해야 한다”며 “다만 민간 단독으로는 자금조달과 수익성 확보가 불가능해 정부 주도의 투자 지원이 절실하다”고 강조했다.