인텔, 신규 신소재·패키징 기술 공개…트랜지스터 1조 개 목표

[아이뉴스24 설재윤 기자] 인텔 파운드리는 IEEE 국제소자학회(IEDM) 2024에서 1조 트랜지스터 시대에 발맞춰 개발한 신소재패〮키징 기술을 공개했다고 9일 밝혔다.

인텔은 '감극성 루테늄'을 활용해 기존 구리 트랜지스터의 약점으로 지적되던 정전 용량을 최대 25%까지 향상시키고 칩 내 상호 연결을 개선하기 위한 신소재 기술을 선보였다.

또, 인텔은 최초로 초고속 칩 간 어셈블리 공정을 가능하게 하는 고급 패키징을 위한 이기종 통합 솔루션을 활용해 처리량을 100배 향상시켰다고 발표했다.

이와 함께 인텔은 GAA(gate-all-around) 스케일링을 더욱 촉진하기 위해 실리콘 리본펫 금속 산화물 반도체와 스케일링된 2D펫(FET)를 위한 게이트 산화물 모듈을 사용해 디바이스 성능을 개선하는 작업을 시연했다.

IEDM 2024에서는 업계 최초로 300mm GaN-on-TRSOI 기판을 활용한 강화 모드 GaN MOSHEMT 기술도 소개됐다. 이 기술은 전력 및 RF 전자 장비에서 신호 손실을 줄이고, 고온 및 고전압 환경에서도 안정적인 성능을 제공한다.

인텔 파운드리가 최근 출시한 신기술은 '1조 트랜지스터 시대'에 맞춰 개발된 것이다. 최근 반도체 업계는 2030년까지 트랜지스터 1조개를 칩에 탑재하는 것을 목표로 하고 있다.

이에 따라 인텔 파운드리는 1조 트랜지스터 시대를 위한 지속적인 트랜지스터 스케일링을 위해 중요하고 혁신적인 기술을 개발하기 위한 CTA(call to action)을 공유했다.

업계 관계자는 "칩 하나에 트랜지스터 1조개를 탑재하려면 다방면으로 기술 개발이 이뤄져야 한다"며 "퍼포먼스와 함께 집적도도 높아져야 하며, 전력 소모도 줄여야 한다"고 설명했다.

나타리잔 인텔 파운드리 기술 리서치 부문 총괄 수석 부사장은 "인텔 파운드리는 반도체 산업의 로드맵을 정의하고 구축하기 위해 지속적으로 노력하고 있다. 최근의 혁신은 미국에서 개발된 최첨단 기술을 제공하고 미국 칩스(CHIPS) 법의 지원과 함께 균형 잡힌 글로벌 공급망을 구축하고 미국 내 제조 및 기술 리더십을 회복하려는 인텔의 노력과 위치를 강조한다"고 밝혔다.