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ETRI, 150나노 질화갈륨(GaN) 반도체 파운드리 서비스 개시

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설계키트 공개발표회 개최…매년 4개사 무료 지원

[아이뉴스24 최상국 기자] 한국전자통신연구원(ETRI)이 150나노 질화갈륨(GaN) 반도체 파운드리 시범서비스를 시작한다고 밝혔다.

ETRI는 4일 산·학·연 관계자가 참석한 가운데 과학기술정보통신부 '통신용 화합물반도체 연구 파운드리 구축사업'으로 개발한 150나노(0.15um) 질화갈륨 마이크로파집적회로(MMIC) 설계키트(PDK) 공개발표회를 개최했다.

ETRI 팹에서 제작된 4인치 GaN-on-SiC 웨이퍼 사진 [사진=ETRI]
ETRI 팹에서 제작된 4인치 GaN-on-SiC 웨이퍼 사진 [사진=ETRI]

질화갈륨(GaN) 반도체는 차세대 반도체 핵심 소재·소자로 기존 실리콘, 탄화규소, 갈륨비소 반도체의 한계를 극복할 수 있는 대안으로 연구되고 있다. 최근 기술 전략물자화의 대표적 기술로 최첨단 무기에도 적용될 만큼 중요성이 주목받고 있다.

그동안 국내에서는 이동통신용 300~400나노 GaN 반도체 파운드리 상용 서비스가 제공되고 있었지만 제작할 수 있는 MMIC의 동작 주파수가 X-band(~8GHz) 이하 대역으로 제한됐다. ETRI가 지원하는 150나노급 반도체는 20GHz~30GHz에서도 동작할 수 있다.

ETRI에 따르면 150나노 GaN 반도체는 전 세계에서 6개 기관에서만 파운드리 생산이 가능하다. ETRI는 지난 36년간 팹(Fab)을 운영하며 화합물반도체 관련 기술을 축적해 왔으며 이를 바탕으로 미세패턴공정, 식각 등 주요 공정에서의 노하우와 수율, 신뢰성 측면에서 세계 최고의 기술을 보유하고 있다고 밝혔다.

ETRI는 연구성과를 기반으로 K-방산 등 반도체 관련 기업을 적극적으로 지원할 예정이다. 프로세스 설계키트(PDK)를 배포하고 파운드리 시범서비스를 무료로 지원한다.

먼저 멀티프로젝트웨이퍼(MPW) 서비스를 위해 4월 중 제안서를 받아 4개 기업을 선정한 후 설계를 신청받아 하반기에 1차 파운드리 서비스를 시작한다. 2025년과 2026년에도 각 4개 기업을 선정, 3년 동안 총 12개 기업의 수요를 받아 칩 생산까지 무료로 책임지기로 했다.

방승찬 ETRI 원장은 “그동안 해외업체에 종속되어 있던 다양한 ICT 융합 애플리케이션에 적용할 수 있는 GaN 부품 공정의 자립화를 선도하게 됐다. 차세대 이동통신 및 레이다 등에 쓰이는 고출력 GaN 소자 국산화를 이룸으로써 수출 규제 대응 및 국제기술 경쟁에도 큰 도움이 될 전망"이라고 말했다.

GaN 기반 MMIC 시범서비스 개요 [사진=ETRI]
GaN 기반 MMIC 시범서비스 개요 [사진=ETRI]

/최상국 기자(skchoi@inews24.com)



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