안덕근 산업부 장관 "HBM 등 첨단 반도체의 수출 확대를 적극 지원"

[아이뉴스24 김종성 기자] 안덕근 산업통상자원부 장관이 SK하이닉스 용인 반도체 일반산단(이하 클러스터)을 21일 방문했다.

용인 반도체 클러스터는 2019년 조성계획 발표 후 인·허가 문제로 개발이 지연됐지만, 지난 2022년 11월 당·정·지자체·기업간 상생협약이 체결돼 사업이 본 궤도에 올랐다. 1기 팹(Fab) 부지는 약 35%의 공정률을 보이며, 현재 부지 조성 공사가 차질 없이 진행 중이다. 2046년까지 120조원 이상 투자를 통해 총 4기 팹 구축을 목표로, 내년 3월에는 생산 팹 1기가 착공될 예정이다.

이날 기업 간담회에서 안 장관은 인프라의 적기 구축, 초격차 기술 확보 및 수출 확대 지원, 반도체 소부장·팹리스 생태계 강화를 약속했다. 산업부는 클러스터 내 인프라 구축을 지원하고자 지난 2월 전력공급 전담반(TF)을 발족했다. 올해 3월까지 반도체 등 첨단특화단지 지원 전담부서 설치와 '첨단전략산업 특화단지 종합 지원방안'을 마련할 계획이다.

또 인공지능(AI) 반도체와 고대역폭 메모리(HBM) 수요가 증가하는 상황에서 반도체 기술력 확보와 수출 진작을 위해 AI 반도체 시장 선점을 위한 종합전략을 조속히 마련하고, 반도체 장비 경쟁력 강화방안을 올해 상반기에 마련한다는 방침이다.

나아가 클러스터 내 경쟁력 있는 반도체 생태계 마련을 목표로, 소부장 기술의 양산 검증 테스트베드인 용인 '미니팹 사업'에 대한 예비타당성 조사를 차질 없이 진행하고, 경쟁력 있는 소부장·팹리스 기업들을 대상으로 정책자금을 공급할 예정이다.

안 장관은 "반도체 초격차는 속도에 달린 만큼 우리 기업이 클러스터 속도전에서 뒤처지지 않도록 전 부처가 합심하여 대응하겠다"며 "올해 기업들이 반도체 1200억 달러 수출 목표를 달성할 수 있도록 HBM 등 첨단 반도체의 수출 확대를 적극 지원하겠다"고 밝혔다.