"차세대 메모리 시장 견인"…삼성전자, 업계 최선단 12나노 D램 개발

[아이뉴스24 민혜정 기자] 삼성전자가 업계 최선단(최소 선폭)인 12나노미터(nm, 1nm는 10억 분의 1m) D램 개발에 성공했다. 삼성은 이를 내년 양산해 차세대 메모리반도체 시장에서도 리더십을 공고히 할 계획이다.

삼성전자는 12나노급 공정으로 16기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발하고 최근 AMD와 함께 호환성 검증을 마쳤다고 21일 밝혔다.

삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 높이고, 회로 특성 개선을 위한 혁신적인 설계 등을 통해 업계 최선단의 공정을 완성했다.

또 멀티레이어 극자외선(EUV) 기술을 활용해 업계 최고 수준의 집적도로 개발됐다. 12나노급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다.

DDR5 규격의 이번 제품은 최대 동작속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도이다.

삼성전자는 이 제품이 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선돼, 기후 위기 극복에 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들에 유용한 솔루션이 될 것이라고 설명했다.

삼성전자는 내년부터 12나노급 D램을 양산하고 글로벌 IT기업들과 협력해 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 계획이다. 데이터센터, 인공지능, 차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장은 "업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것"이라며 "차별화된 공정 기술력을 통해 개발된 이번 제품은 고성능·고효율로 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는 데 기여할 것"이라고 강조했다.