[아이뉴스24 오경선 기자] 반도체 제조 전문 기업인 알에프세미는 캐나다 갠시스템스(GaN Systems)와 질화갈륨(GaN) 전력반도체 제품 개발과 시장 확대를 위한 업무협약(MOU)을 체결했다고 5일 밝혔다.
갠시스템스는 650V 급 GaN 전력반도체 기술을 보유하고 있으며 이 분야에서 세계 선두 기업으로 시장을 주도 하고 있다.
알에프세미는 전략반도체 패키지를 위해 최근 개발해 특허 등록한 '가변 적층형 방열판 패키지' 기술을 제품 개발에 적용할 예정이다. 이 기술은 기존 패키지 대비 열 방출이 뛰어나 고온에서도 안정적인 동작을 지원한다.
이번 협약은 알에프세미의 패키지 기술과 갠시스템스의 GaN 소자 기술 협력을 통한 제품 개발과 세계 시장 확대를 위한 것이다.
차세대 전력반도체로 주목받고 있는 GaN 전력반도체는 실리콘에 질화갈륨을 입혀 제작돼 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체 대비 가격 경쟁력을 가지고 있으며 사용 전압이 낮지만 고속 스위칭이 가능해 소형 가전에 주로 사용되고 있다.
이진효 알에프세미 대표는 "차세대 전력반도체인 SiC 전력반도체 파운드리 생산에 이어 GaN 전력반도체 제품 개발을 기반으로 복합모듈 제품을 개발해 회사 성장에 기여할 것"이라고 강조했다.
--comment--
첫 번째 댓글을 작성해 보세요.
댓글 바로가기