[삼성전자 컨콜] "EUV 적용 14나노 D램 하반기 양산"

[아이뉴스24 민혜정 기자] 삼성전자가 하반기에 극자외선(EUV) 장비를 활용한 14나노미터 공정 D램을 양산한다.

삼성전자는 29일 열린 컨퍼런스콜에서 "현재 D램을 15나노미터 공정으로 생산하고 있는데 하반기에 EUV 장비를 활용한 14나노 양산이 계획돼 있다"며 "이미 주요 칩셋업체들로부터 성능을 인정 받았다"고 강조했다.

이어 "기술 패러다임 변화에 있어서 EUV 기술이 중요하기 때문에 우리 경쟁력의 밑거름이 될 것이라 보고있다"고 덧붙였다.

삼성전자는 낸드플래시는 적층 효율이 중요하다고 강조했다.

삼성전자는 "낸드 기술은 향후 단수 뿐만 아니라 적층 효율 측면이 중요할 것"이라며 "더블 스택 공정을 200단 후반대까지 적용해서 원가경쟁력을 확보할 것"이라고 말했다.