[컨콜] 삼성전자 "올해 EUV 적용 1a D램 생산…6세대 V낸드 생산 확대"

[아이뉴스24 서민지 기자] 삼성전자가 메모리 반도체 분야에서 차별화된 공정 기술로 격차를 이어가겠다는 포부를 내비쳤다.

삼성전자는 28일 지난해 4분기 실적 발표 컨퍼런스콜에서 "차별화된 극자외선(EUV) 노하우와 생태계를 바탕으로 올해 EUV 기술을 도입한 1a D램을 생산할 것"이라며 "원가경쟁력, 품질, 성능 등을 지속 강화할 것"이라고 밝혔다.

이어 "삼성전자는 D램의 하이케이 메탈 게이트 공정을 2017년부터 개발, 고객 니즈를 충족하고 있다"며 "하이케이 메탈 게이트 공정 노하우로 그래픽 제품뿐만 아니라 타 제품에도 적용해 경쟁사 대비 기술적 우위를 점하겠다"고 덧붙였다.

낸드와 관련해서는 "6세대 V낸드 램프업(생산량 증대)을 완료해 생산을 적극 확대할 계획"이라며 "차세대 7세대 낸드에는 처음으로 더블 스택 기술을 도입할 예정"이라고 밝혔다.

또 "싱글 스택 노하우를 활용해 멀티 스택을 도입해도 탁월한 원가 경쟁력을 유지할 수 있을 것"이라고 강조했다.