하이닉스, 16GB DDR3 D램모듈 세계첫 개발

하이닉스반도체(대표 김종갑)는 1기가비트(Gb) D램을 활용해 16기가바이트(GB)의 용량을 지닌 고성능 서버용 DDR3 D램 모듈을 세계 최초로 개발했다고 20일 발표했다.

현재 서버에 적용되는 D램 모듈 가운데 가장 용량이 큰 제품은 DDR2 방식의 8GB로, 성능이 뛰어난 DDR3가 적용된 16GB 용량의 D램 모듈은 이번에 처음 선보이게 됐다.

하이닉스는 미국 반도체 설계전문(팹리스) 기업 메타램의 기술을 적용해 가격이 저렴한 1Gb DDR3 D램으로 새 제품을 만들었다.

메타램의 '메타SD램' 칩셋을 D램과 콘트롤러 사이에 장착하면, 콘트롤러가 실제 사용된 D램 용량보다 더 높은 용량으로 D램을 인식함으로써 고용량의 모듈 효과를 낼 수 있다.

하이닉스는 듀얼 다이 패키지(DDP, Dual Die Package) 방식으로 1Gb D램 2개를 하나의 칩으로 만들고, 메타SD램을 적용해 2Gb D램을 썼을 때보다 저렴한 가격으로 16GB의 고용량을 실현했다.

하이닉스는 지난 2월 메타램 기술을 적용한 8GB DDR2 D램 모듈을 발표했었다. 이번 16GB DDR3 D램 모듈은 이전에 개발한 제품과 같이 고용량을 확보하면서, 동작속도의 손실이 없어 대용량 서버 및 워크스테이션 등에 적합하다.

현재 시중에서 판매되는 8GB 서버용 모듈은 한 채널당 2개의 모듈만 시스템에 장착할 수 있어, 최대 16GB 용량과 함께 초당 800메가비트(Mbps) 속도로 동작한다.

이와 달리 이번에 개발된 2-랭크(Rank) 기반 16GB 모듈은 한 채널당 3개 모듈까지 지원할 수 있어, 최대 48GB의 용량을 1천66Mbps로 동작시킬 수 있다.

채널은 시스템에서 콘트롤러와 메모리 모듈 간 데이터를 주고받는 버스의 한 단위로, 콘트롤러 설계에 따라 하나 이상의 채널을 지원하게 된다. 랭크는 메모리 모듈에서 개별 메모리 소자가 여럿 모여서 하나의 단위로 동작하는 것을 말한다.

1GB 모듈에서 1Gb 8개가 하나의 단위로 동작하면 1GB 1-랭크 모듈, 1Gb 4개가 하나의 단위로 동작하면 1GB 2-랭크 모듈이 된다. 2-랭크 방식을 적용하면 소비전력을 낮출 수 있다.

하이닉스가 새로 개발한 16GB 모듈은 기존 DDR3 8GB 모듈과 비교해 33%의 성능 향상 및 3배의 고용량을 구현할 수 있고, 2-랭크 방식으로 소비전력도 낮다.

이번에 회사 측이 함께 선보인 8GB DDR3 모듈도 한 채널로 24GB 용량까지 구성해 1천66Mbps 속도로 동작할 수 있다. 하이닉스는 올해 말까지 이 속도를 1천333Mbps까지 향상시킬 계획이다.

하이닉스 마케팅본부 김지범 전무는 "이번 제품 개발로 인텔의 고용량 서버 애플리케이션 등에 적합한 고용량 모듈 제품군을 갖출 수 있게 돼, 고성능 D램 모듈 시장에서 경쟁력을 확보했다"고 전했다.

이어 "오는 2010년부터 시장의 주력제품이 될 DDR3 D램 관련 고성능 신제품 개발로 시장을 선점할 수 있는 기반을 마련한 점도 의미가 있다"고 덧붙였다.

하이닉스는 새 D램 모듈을 19일(현지시간)부터 미국 샌프란시스코에서 열리는 '인텔 개발자 포럼(IDF)'에서 소개할 예정이다. 인텔은 하이닉스의 제품을 10개로 구성해, 160GB 용량으로 동작하는 별도의 시스템을 구축해 시연할 계획이다. 하이닉스는 8GB DDR3 D램 모듈을 내년 1분기부터, 16GB 모듈은 같은 해 2분기부터 양산한다.