[4분기 실적]삼성電 "올해 메모리출하량 평균이상"

삼성전자가 올해도 메모리반도체 부문에서 업계 평균보다 공격적으로 제품을 양산하겠다는 계획을 밝혔다.

삼성전자 반도체 부문 홍완훈 전무는 23일 서울 여의도 증권선물거래소에서 열린 실적설명회에서 "아직까지 자사 D램 및 낸드플래시메모리의 출하량 목표치는 정하지 못했다"며 "경쟁사보다 적극적으로 생산량을 늘린다는 기조엔 변화가 없다"고 전했다.

삼성전자는 올해 업계 평균 D램 비트그로쓰(Bit Groth, 비트 기준 출하량 증가율)가 20%, 낸드플래시는 30~40% 정도를 기록할 것으로 예상했다. 이는 지난해보다 크게 낮아진 수준으로, 최근 2년여에 걸친 메모리반도체 시황의 급격한 악화를 반영하는 수치다.

삼성전자는 지난해 중반 자사 D램 비트그로쓰를 100%, 즉 전년 대비 생산량을 2배까지 늘리겠다고 밝혔었다.

그러나 하반기 D램 가격이 폭락하면서 연말경 연간 D램 비트그로쓰는 80% 정도를 기록한 것으로 나타났다. 삼성전자는 지난해 자사 낸드플래시 비트그로쓰도 130% 수준까지 제시했으나, 실제 출하량 증가율은 이에 미치지 못한 것으로 파악된다.

홍 전무는 "메모리반도체 시황은 올해 4분기부터 다소 개선될 것으로 예상한다"며 "시장 예측이 어려워 비트그로쓰 등 사업전략을 명확히 확정하지 않은 상태"라고 말했다.