[아이뉴스24 황세웅 기자] 차세대 반도체를 더 미세하게 만드는 핵심 기술인 하이 NA(Numerical Aperture·고개구율) 극자외선(EUV) 노광 기술이 연구개발(R&D)을 넘어 실제 반도체 양산 공정으로 확대되고 있다.
인텔 파운드리와 ASML은 8일(현지시간) 미국 캘리포니아 몬터레이에서 열리는 'SPIE 포토마스크 테크놀로지 + 극자외선 리소그래피' 행사에서 하이 NA EUV 양산 적용 현황과 향후 기술 계획을 공개했다.
하이 NA EUV는 기존 EUV보다 더 미세한 회로를 웨이퍼에 그릴 수 있도록 해주는 차세대 노광 기술이다. 반도체 회로가 점점 작아지면서 한 번에 더 정교한 회로를 구현하기 위한 기술로 주목받고 있다.
인텔 파운드리는 현재까지 하이 NA EUV를 100만장 이상의 웨이퍼 공정에 적용했다. 장비 인증과 시험, 연구개발뿐 아니라 코드명 '팬서레이크'인 인텔 코어 울트라 시리즈 3 프로세서의 일부 레이어 양산에도 활용했다.
인텔에 따르면 하이 NA EUV 장비의 오버레이(회로를 여러 번 겹쳐 그릴 때의 정밀도)와 처리량, 가동률은 회사의 기대치를 충족하고 있다.
인텔 18A 공정에서도 일부 레이어에 하이 NA EUV가 적용됐다. 인텔은 하이 NA EUV로 만든 제품이 기존 0.33 NA EUV 장비인 NXE 플랫폼으로 같은 회로를 만든 경우와 비교해 대등하거나 더 나은 성능을 보이고 있다고 설명했다.
양사는 하이 NA EUV 도입의 걸림돌로 꼽히는 포토마스크 문제에도 대응하고 있다.
현재 반도체 업계에서 널리 사용하는 6인치 마스크를 그대로 활용할 수 있도록 회로를 나눠 노광한 뒤 연결하는 '스티칭' 기술과 공정설계키트(PDK)를 지원한다.
고객사가 새로운 규격의 마스크를 바로 도입하지 않아도 하이 NA EUV를 사용할 수 있도록 하기 위한 것이다.
장기적으로는 6×12인치 크기의 대형 마스크 생태계 구축도 추진한다. 인텔은 ASML을 비롯해 마스크 제조사, 자동화·EDA·소재 업체 등과 대형 마스크에 필요한 표준과 인프라 구축을 논의해 왔다.
인텔과 ASML의 이번 협력은 하이 NA EUV의 경쟁이 단순히 장비 성능을 높이는 단계를 넘어 실제 공장에서 얼마나 안정적으로 생산하고 기존 반도체 제조 생태계와 연결할 수 있는지를 확인하는 단계로 옮겨가고 있음을 보여준다.
크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 "인텔 파운드리는 2024년 최초의 상용 EXE 시스템 도입부터 하이 NA로 제조된 첫 양산형 로직 제품 출하까지 산업의 하이 NA 도입을 이끈 핵심 기업 중 하나"라고 말했다.
나가 찬드라세카란 인텔 수석 부사장은 "단기적으로는 6인치 마스크에서 하이 NA를 지원하고 장기적으로는 6×12인치 마스크로 전환하는 데 집중하고 있다"고 밝혔다.
/황세웅 기자(hseewoong89@inews24.com)