[삼성 프로필] 황기현 삼성전자 반도체연구소 부사장

[아이뉴스24 민혜정 기자] 삼성전자는 2021년 정기 임원 인사를 실시하고 황기현 반도체연구소 파운드리 공정개발팀장을 부사장으로 승진시켰다고 4일 발표했다.

황 부사장은 디퓨전(Diffusion) 공정개발에 대한 세계최고 수준의 기술력을 보유한 전문가로 디램(DRAM), 낸드(NAND), 로직 등 차세대 제품의 독보적 공정개발 역량을 확보한 공로를 인정 받았다.

황 부사장은 ▲1967년생 ▲서울대 무기재료공학 학·석·박사 ▲1997년 삼성전자 RS기술팀 ▲2001년 메모리사업부 DT기술그룹 ▲2005년 메모리연구소 공정개발팀 ▲2009년 반도체연구소 공정개발팀 ▲2013년 반도체연구소 공정개발팀 공정개발1P/J ▲2014년 반도체연구소 공정개발실 ▲2015년 반도체연구소 공정개발실 공정개발2팀장 ▲2020년 반도체연구소 공정개발실 파운드리 공정개발팀장 이력을 가지고 있다.