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격동의 반도체 시장…삼성전자, 28년 前 쓴 신화 다시 쓸까

커지는 파운드리 시장…삼성, TSMC와 격차 줄이기에 '총력'

[아이뉴스24 서민지 기자] 최근 글로벌 반도체 업계는 그야말로 격동의 시기를 보내고 있다. 반도체 '절대 강자' 인텔이 추락하고 있는 가운데 파운드리 시장이 급성장하면서 대만 TSMC가 빠르게 추격하며 반도체 업계 지형도가 바뀔 기미를 보이고 있다.

메모리 반도체에 이어 시스템 반도체 분야에서도 1위가 되겠다며 '반도체 비전 2030'을 선언한 삼성전자의 발걸음도 빨라지고 있다. 삼성전자는 1982년 8월 1일 세계 최초로 64메가 D램을 개발, 현재까지 메모리 반도체 시장에서 부동의 1위를 지키고 있다. 하지만 시스템 반도체 분야에서는 파운드리로 50% 이상 점유율을 차지하고 있는 대만 TSMC의 벽이 높은 상태다.

1일 업계에 따르면 삼성전자는 상반기 '깜짝 실적'을 기록했음에도 글로벌 반도체 시장에서 인텔과 TSMC에 밀렸다. 삼성전자는 상반기 반도체 부문에서 매출 35조8천700억 원, 영업이익 9조4천600억 원을 기록했다. 코로나19에 따른 비대면 활동이 확산됨에 따라 서버용 메모리 수요가 크게 늘며 호실적을 이끌었다.

1일 업계에 따르면 삼성전자는 상반기 '깜짝 실적'을 기록했음에도 글로벌 반도체 시장에서 인텔과 TSMC에 밀렸다. [사진=삼성전자]

하지만 마음 편히 웃을 수 없는 상황이다. 파운드리만 하는 TSMC가 삼성전자를 제치고 2위에 올라섰기 때문이다. TSMC는 올해 상반기 매출은 25조 원, 영업이익 10조4천억 원 정도로 매출은 삼성전자보다 뒤지지만, 수익성은 앞서는 기록이다. 인텔의 상반기 매출은 47조6천억 원, 영업이익은 15조3천억 원으로 세계 1위를 유지했다.

삼성전자는 '메모리 초호황기' 2017~2018년 반도체업계에서 연간 영업이익·매출 1위를 차지한 바 있다. 하지만 지난해부터 인텔에게 다시 1위 자리를 내줬고, 올 들어 TSMC에게도 밀리는 모습이다.

인텔이 최근 7나노 공정 중앙처리장치(CPU) 제품 출시가 6개월 이상 지연된다고 발표한 점도 반도체 업계를 더욱 흔들고 있다. 이를 두고 인텔이 TSMC에 7나노 이하 반도체 생산을 맡길 가능성이 높다는 관측이 나온다. 이런 관측이 현실화될 경우 삼성전자와 TSMC의 파운드리 격차는 더욱 벌어지게 된다. 만일 삼성전자에 생산을 맡길 경우 삼성전자는 빠르게 격차를 좁힐 수 있다.

업계에서는 TSMC의 '선택과 집중' 전략이 통했다고 보고 있다. 전통적인 종합 반도체 기업보다 파운드리 분야를 특화해 시장을 재편했다는 해석이다.

메모리 반도체는 가격 변동이 심한 반면 시스템 반도체는 지속적인 수익 창출이 가능한 분야로 꼽힌다. 특히 5G, 인공지능(AI), 자율주행차, 사물인터넷(IoT) 등 4차산업 시대와 맞물려 시스템 반도체의 고속 성장이 기대되고 있다.

삼성전자는 상반기 반도체 부문에서 매출 35조8천700억 원, 영업이익 9조4천600억 원을 기록했다. [사진=아이뉴스24 포토 DB]

이에 따라 삼성전자는 지난해 4월 메모리반도체 초격차와 함께 2030년까지 시스템 반도체 1위를 달성한다는 '비전 2030'을 발표한 바 있다. 실제 삼성전자는 올해 1분기와 상반기 모두 파운드리 분야에서 사상 최대 실적을 기록하기도 했다.

파운드리 시장은 TSMC의 독점 체제가 이어지고 있다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 글로벌 파운드리 시장에서 TSMC는 51.5% 점유율로 압도적인 1위를 차지하고 있다. 삼성전자는 18.8% 점유율로 2위를 기록하고 있다.

삼성전자는 메모리 반도체 초격차와 시스템 반도체 확대를 위해 투자에 집중하고 있다. 삼성전자는 지난 5월 경기 평택에 극자외선(EUV) 파운드리 생산라인 구축을 위한 투자 계획을 발표한 데 이어 지난 6월 평택 낸드플래시 생산라인 증설 계획을 밝혔다. 이는 각각 10조 원, 8조 원 안팎의 규모로 추진될 것으로 보인다.

또 코로나19 속 중국 시안 메모리 반도체 공장은 계획대로 가동되고 있다. 시안 반도체 라인은 삼성전자의 유일한 해외 메모리 반도체 생산기지다. 1공장은 2012년 착공해 2014년 상반기에 가동됐고, 2공장은 2017년 8월부터 1단계 투자가 진행돼 이번에 일부 라인이 완성됐다.

시안2공장 신규 라인 생산량은 웨이퍼 투입량 기준 월 2만 장이며, 삼성전자의 1단계 투자 목표는 6만5천 장으로 알려졌다. 2단계 투자가 완료되면 월 13만 장 수준까지 늘어날 것으로 관측된다.

삼성전자는 "D램은 1z 나노(10나노급 3세대)와 극자외선(EUV) 도입 본격화를 통해 기술 리더십을 강화할 것"이라며 "낸드는 원가 경쟁력 강화에 주력하며 6세대 V낸드 등 첨단 공정 전환을 가속화할 방침"이라고 밝혔다.

또한 "파운드리 5나노는 양산에 착수, 4나노는 공정 개발을 진행하고 있다"면서 "향후 EUV 기반 최첨단 제품 수요 증가에 대응하기 위해 평택에 생산라인 투자를 결정하는 등 미래 사업 확장을 준비하고 있다"고 말했다.

서민지기자 jisseo@inews24.com

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